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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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