Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Pontuação geral
star star star star star
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 58
    Por volta de 50% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.3 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.2 left arrow 9.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 12800
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 58
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.4 left arrow 16.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.0 left arrow 12.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2423 left arrow 2591
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações