RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
58
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2591
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link