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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3534
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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