RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
66
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
66
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link