RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
60
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link