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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2870
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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