RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link