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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
35
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2676
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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