RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2676
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link