RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link