RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link