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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
29
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
19
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
20.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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