RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
29
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3821
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link