RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3736
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link