RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3736
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link