RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link