RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
104
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
43
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2501
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link