RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
104
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
43
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2501
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link