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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
79
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
79
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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