RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
79
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
79
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link