RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
79
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
79
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link