RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
4095
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link