RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
4095
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link