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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 19.6
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 54
    周辺 -135% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.8 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 18.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 4095

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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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