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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
4095
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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