RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
66
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1699
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link