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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
66
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
66
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1699
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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