RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3507
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link