RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
46
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3507
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link