RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2821
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link