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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.1
13.9
写入速度,GB/s
8.6
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2821
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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