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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3093
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Frequency (Mhz) *
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