RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
62
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link