RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
57
62
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
57
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link