RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
24
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link