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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
62
Por volta de -210% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
20
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2939
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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Kingston 99U5402-436.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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