RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
62
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
39
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2760
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link