RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
62
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
25
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3541
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link