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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
24
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3305
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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