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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
62
Por volta de -182% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
22
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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