RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
62
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
29
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link