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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
62
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
32
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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