RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
62
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
33
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link