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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
62
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
36
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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