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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
65
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
65
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
5.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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