RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
70
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
70
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2519
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link