RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
24
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1764
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link