RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
62
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
35
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link