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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1668
3209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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