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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1668
3209
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